[发明专利]碳化硅外延结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202111004799.8 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113990940B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/02;C30B29/36;C30B25/18;C30B29/40;C30B28/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种碳化硅外延结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述碳化硅外延结构包括基底以及依次层叠在所述基底上的界面处理层、成核层和SiC厚层，所述基底包括多个周期交替生长的GaN层和AlN层，所述界面处理层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为未掺杂的SiC层，所述第二子层为掺Si的SiC层，所述成核层为表面具有多个三角锥状凸起的SiC层，所述SiC厚层的厚度为80～100um。采用该碳化硅外延结构可以生长较厚的SiC层，并保证生长出的SiC外延结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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