[发明专利]FINFET多输入标准单元版图结构及半导体器件

摘要

本发明提供一种FINFET多输入标准单元版图结构，包括有源区图形、六个栅条图形、有源区金属图形、有源区金属截断图形、栅线金属图形、输入连接孔图形、连接金属图形，四个栅条金属图形依次位于中间的四个栅条图形上且位于两个有源区图形之间，四个栅条金属图形交错排布且均偏向对应栅条图形的同一侧，第一金属图形至第四金属图形依次覆盖四个输入连接孔图形，第五金属图形位于第四金属图形相对第三金属图形的两个有源区金属图形上且位于相应的栅条图形之间。本发明中，利用有源区金属截断图形以截断有源区金属图形，以使得栅条金属图形可以交错排布，从而达到栅条金属图形上的连接金属图形紧凑排布的目的，以解决多输入标准单元布置不紧凑的问题。