[发明专利]一种防止银迁移的平面二极管芯片在审
| 申请号： | 202111007165.8 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113707628A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 邱志述;谭志伟;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L29/861 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 614000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及涉及一种平面二极管芯片，特别是一种防止银迁移的平面二极管芯片，包括第一半导体层、设于第一半导体层表面的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层提供二极管结构；在第二半导体层外周的第一半导体层表面设有保护PN结的保护层；所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面设有第一金属层；所述第一金属层包括焊接层，所述焊接层位于所述第二半导体层中部。使得焊接层两端与半导体层两端的横向电场之间具有间隔，降低了横向电场的影响；同时焊接层表面到芯片侧面的距离加大，银电极到芯片侧面电极之间形成导电湿气薄膜的可能性降低，能够降低平面二极管芯片表面银迁移的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 迁移 平面二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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