[发明专利]基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111007267.X | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113871477A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李鑫 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，将β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 基于 栅极 源极场板 双异质结 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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