[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202111007359.8 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113725165B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 巩金峰;林志成 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供基底，基底包括介质层；形成接触孔于介质层中；形成第一导电层于接触孔的侧壁和底部上；形成第二导电层于第一导电层上，以填满接触孔，其中，第一导电层的晶格常数和第二导电层的晶格常数不同；移除部分介质层，以使得第一导电层和第二导电层的顶部突出于介质层。上述半导体的制备方法，通过沉积晶格常数不同的第一导电层和第二导电层，从而得到致密程度不同的导电层，在刻蚀介质层以突出导电层顶部的过程中，在导电层顶部形成不平整的顶面，从而增大导电层的表面积，降低接触电阻，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111007359.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
