[发明专利]IGBT器件的结构及工艺方法在审
| 申请号： | 202111008427.2 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113745328A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓军;马庆海;胡杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹挚芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件结构及其工艺方法，所述器件的背面金属上方为集电区，集电区上方为场终止层，场终止层上方为基区；在所述衬底的上表面的浅层为体区，沟槽的底部位于基区中，沟槽内填充多晶硅层形成沟槽型栅极，所述衬底的上表面覆盖金属层；靠近体区的基区中具有一层正面缺陷区，靠近场终止层的基区中具有一层背面缺陷区。本发明通过正面及背面的可控深度制造缺陷，控制正面及背面载流子寿命；这样在关断的过程中，载流子寿命有限，电流很快就下降为零。注入缺陷后，正面部分区域的电阻偏小，电流很快就上升到饱和区域，开通时间变小，在开通和关断过程中损耗变少。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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