[发明专利]一种基于hdCLL模型的气体分子散射速度计算方法有效
| 申请号： | 202111008428.7 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113743031B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张俊;邓俊超;马启涵;田鹏 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/28 | 分类号： | G06F30/28;G06F113/08;G06F119/14;G06F111/08 |
| 代理公司： | 北京天汇航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11987 | 代理人： | 黄川;史继颖 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于hdCLL模型的气体分子散射速度计算方法，hdCLL模型根据能否在壁面上稳定吸附一段时间将气体分子分为吸附类气体分子和反射类气体分子，并对两类气体分子的散射采用不同的气固相互作用模型进行描述，对于吸附类分子，采用完全漫反射模型分别计算其切向和法向散射速度，对于反射类分子，采用CLL模型计算其散射速度，通过构建MD模型获得所需的参数，进而计算气体分子的散射速度，并统计得到气体分子的散射速度概率分布。通过本发明获得的气体分子散射速度的准确性、可靠性相比已有方法得到了显著提高。本发明可以进一步应用于DSMC模拟中，提升其对于稀薄气体条件下流场特性的预测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 hdcll 模型 气体 分子 散射 速度 计算方法 | ||
【主权项】：
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