[发明专利]一种碳化硅TMBS器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111010595.5 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113745352A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;喻双柏;郑泽东;和巍巍 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅TMBS器件结构。所述结构包括一n型掺杂碳化硅衬底，其上方有一n型掺杂碳化硅外延层，在碳化硅外延层的顶部有若干沟槽，所述沟槽的侧壁和底部有氧化层，所述沟槽中填充有p型掺杂多晶硅，每两个相邻的沟槽之间有p型沟槽保护区，p型沟槽保护区包裹对应的两个沟槽的内边缘。本发明同时公开了该器件的制造方法。与常规的TMBS器件结构及制造方法相比，本发明结合了碳化硅材料的特点，通过引入沟槽保护区的结构，以在正向大电流状态下起到双极型导通的作用，提高了器件允许的最大浪涌电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 tmbs 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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