[发明专利]接触孔的制作方法和结构在审
| 申请号： | 202111011356.1 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113782491A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;黄景丰;杨继业 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种接触孔的制作方法和结构。该接触孔的制作方法包括以下步骤：提供形成有通孔的半导体器件；通过离子化金属等离子制程，使得所述通孔的内表面上溅射沉积第一接触金属层；经过第一热退火处理后，通过自离子化等离子制程，使得在所述第一接触金属层的内表面上溅射沉积第一扩散阻挡金属层；通过化学气相沉积制程，使得所述第一扩散阻挡金属层的内表面上沉积形成第二扩散阻挡金属层；通过物理气相制程，使得所述第二扩散阻挡金属层的内表面上形成第三扩散阻挡金属层；位于所述通孔中的三扩散阻挡层的内表面包围形成金属填充空间；经过第二热退火处理后，向所述金属填充空间中填充金属。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
