[发明专利]多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统有效
| 申请号： | 202111011498.8 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113703411B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨明财;王生红;曹玲玲;鲍守珍;宗冰 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/418 | 分类号： | G05B19/418;C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人： | 孔鹏 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统，属于多晶硅生产领域。上述监测系统用于监测还原炉中多晶硅的生长状况，其包括监测模块、分析模块及输出模块；其中，监测模块用于实时监测还原炉内的物料流量及硅棒温度；分析模块用于接收监测模块的监测数据并进行计算，计算后通过输出模块进行输出。通过此系统，能够实时掌握还原炉内的硅棒生长情况；通过对温度、硅棒直径的监测可以判断物料配比和流量是否是最优值；通过杂质浓度监测，测得多晶硅中杂质的浓度变化，而且减少或代替硅棒中杂质的监测，避免了套料和拉晶制样过程，具有比较高的及时性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生长 过程 监测 系统 方法 生产 | ||
【主权项】：
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