[发明专利]低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 202111012563.9 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113793871B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;张寿强 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G06F15/78 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法，通过对半导体薄膜两侧同时形成正负掺杂，当可重构电极对重构电荷存储层编程写入正电荷时，半导体两侧形成电子堆积区，使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在导带电子导通模式，当可重构电极对重构电荷存储层编程写入负电荷时，半导体两侧形成空穴堆积区，使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在价带空穴导通模式，实现对低导通电阻可重构计算芯片用晶体管导电类型的可编程操作。本发明同时公开了一种兼容于CMOS集成电路工艺技术的低导通电阻可重构计算芯片用晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 阻可重构 计算 芯片 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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