[发明专利]一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统有效
| 申请号： | 202111014636.8 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113702793B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 杨连乔;张驰;简毛亮;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G06F17/13 | 分类号： | G06F17/13;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杨媛媛 |
| 地址： | 200072*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括：对待分析半导体器件进行寿命循环试验；对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试，得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线；根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数；待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数；积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数，微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数；根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析，得到待分析半导体器件的寿命分析结果。本发明可以实现半导体内部结构的分析，从而指导半导体性能的优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 函数 半导体器件 寿命 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
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