[发明专利]氮化镓垂直型PIN二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202111016883.1 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113871463A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 谭永亮;周国;高三垒;秦龙;胡多凯;崔雍 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/868;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 彭竞驰 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓垂直型PIN二极管，包括：衬底，衬底相对设有第一表面和第二表面；氮化镓缓冲层，外延生长在衬底的第一表面；PIN结，PIN结包括在氮化镓缓冲层上依次垂直生长的N+氮化镓外延层、本征氮化镓外延层、P+氮化镓外延层；阳极电极，设置在P+氮化镓外延层远离衬底的第一表面；阴极电极，包括欧姆接触电极金属层和阴极金属层，其中，在衬底的第二表面设有刻蚀槽，刻蚀槽至少延伸至露出N+氮化镓外延层，欧姆接触电极金属层设置在刻蚀槽内、与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阴极金属层形成在欧姆接触电极金属层上。本发明通过在PIN结节两侧分别制备对称分别的阴极电极和阳极电极，从而形成垂直型PIN二极管，提高了芯片的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 垂直 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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