[发明专利]基于半导体集成电路CMOS工艺的混合成像探测器芯片有效
| 申请号： | 202111017607.7 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113451345B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;王鹏;郭得福;马仁旺;段程鹏;欧秦伟 | 申请（专利权）人： | 西安中科立德红外科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01J1/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 郭李君;臧建明 |
| 地址： | 710117 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种基于半导体集成电路CMOS工艺的混合成像探测器芯片，包括：衬底、位于衬底底部的可见光感应区域、位于可见光感光区域两侧的CMOS读取电路、位于衬底顶部上的悬空的上微桥结构和下微桥结构、下微桥结构与衬底之间形成的空气隙晶体管、上电连接支撑结构、上蛇形梁结构以及位于上蛇形梁结构与上电连接支撑结构的接触位置的压变电阻，其中，可见光感应区域内设有二极管，当下微桥结构吸收红外光发生位置的上下偏移而引起空气隙晶体管的空气隙高度发生变化，使得空气隙晶体管的源漏电流发生变化，从而实现可见光和红外光的感应。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 集成电路 cmos 工艺 混合 成像 探测器 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
