[发明专利]超低损耗硅波导及其制备方法有效
| 申请号： | 202111017770.3 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113703093B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 文花顺;许博蕊;孙甲政;翟鲲鹏;陈伟;祝宁华;李明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/134;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种超低损耗硅波导及其的制备方法，制备方法包括以下几个步骤：挑选作为衬底的SOI晶圆；热氧化第一硅层的上部；刻蚀第二二氧化硅层；沉积二氧化硅，形成第三二氧化硅层；在第三二氧化硅层上方注入氧离子，形成富氧离子层；刻蚀除去第二二氧化硅层与第三二氧化硅层；在第一硅层的上方沉积二氧化硅，形成第四二氧化硅层；高温退火，使得富氧离子层反应形成第五二氧化硅层；刻蚀除去第四二氧化硅层，制得成品，成品中第五二氧化硅层下方的第一硅层即为波导层，而第三凸起部下方的第一硅层即为硅波导。本公开将波导图案转移至埋层，避免了常规制备硅波导方案中刻蚀所带来的侧壁粗糙度高的问题，所制备的硅波导具有超低损耗的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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