[发明专利]硅基电光调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111017879.7 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113687530A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 文花顺;许博蕊;孙甲政;翟鲲鹏;陈伟;祝宁华;李明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02B6/134;G02B6/13;G02F1/365 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基电光调制器及其制备方法。方法包括选择SOI晶圆，SOI晶圆为多层结构，自下而上为硅衬底、第一二氧化硅埋层、顶部硅层；顶部硅层中制备第二二氧化硅埋层，将顶部硅层分为上下两层，上层为第一硅层，下层为波导层，第二二氧化硅埋层一部分向上凸起，使下方波导层形成脊形结构，脊形结构向上凸起部分为硅波导，第二二氧化硅埋层内部存在压应力，向外挤压第一硅层及波导层，使硅波导左、右上角因受挤压引起原子排列改变，在硅波导中诱导出二阶非线性极化率；第一硅层上设置GSG单驱动共面波导行波电极，使得其施加的电场可以到达硅波导。本发明克服了常规硅电光调制器的带宽受限于载流子运输时间很难再提高的问题且插损小、可3D光子集成。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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