[发明专利]一种MEMS芯片的低应力封装方法有效

专利信息
申请号: 202111019491.0 申请日: 2021-09-01
公开(公告)号: CN113753848B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 李颖;张治国;贾文博;李振波;祝永峰;任向阳;叶挺;徐长伍;关维冰;白雪松;尹萍;海腾 申请(专利权)人: 沈阳仪表科学研究院有限公司
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00;B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 代理人: 杨滨
地址: 110172 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种MEMS芯片的低应力封装方法,属于微机械加工技术领域。该方法是将硅芯片和衬底硅片,依次进行化学液处理、热板烘干、等离子体处理、DIW清洗、硅片干燥、预键合、低温退火等工艺制作,实现MEMS硅芯片同质材料低应力封装。其中,化学液清洗主要是用SPM和RCA1溶液对硅片表面进行特定条件下的表面处理,使硅片具有亲水性并悬挂大量羟基;提出用O2和CF4混合气体等离子体激活芯片表面,且气流方向平行于硅片表面进行冲刷处理,增强了表面激活能,降低了粗糙度,形成易于消除界面空洞的多孔结构;DIW清洗及硅片干燥,使硅片表面脱水干燥且保持了适度的湿度,悬挂适于键合的烃基,形成良好的表面态;特定条件的预键合及分步退火,实现了满足MEMS芯片技术要求的低应力封装。
搜索关键词: 一种 mems 芯片 应力 封装 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳仪表科学研究院有限公司,未经沈阳仪表科学研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111019491.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top