[发明专利]一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案有效
| 申请号： | 202111021709.6 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113724758B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金威;程思莹;李翔;李亚茹;张毅博;张亚勋;张羽;刘志海;杨军;苑立波 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 刘岩 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案。该多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案，包括“读、写、擦”激光输出模块、多芯光纤忆阻器、“读”多芯探测模块，其中多芯光纤忆阻器包括多芯光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。在多芯光纤端面后依次镀有光学相变材料薄膜和防氧化增反膜来构造多芯光纤忆阻器；各个纤芯中注入“擦、写”脉冲激光分别对各纤芯端面的光学相变材料的相态进行调控，不同相态下的光学相变材料反射率存在差异，通过“读”连续激光读取每个纤芯的存储状态，从而实现多芯非易失性全光存储。该多芯光纤忆阻器件基于空分复用理念提升单芯光纤非易失性存储的维度，可极大地提高通信、存储容量，突破当前普通单模光纤信息容量极限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光纤 器件 方案 | ||
【主权项】：
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