[发明专利]一种基于倏逝场的光纤忆阻单元有效
| 申请号： | 202111021714.7 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113724759B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金威;李翔;程思莹;李亚茹;张毅博;张亚勋;张羽;刘志海;杨军;苑立波 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 刘岩 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于倏逝场的光纤忆阻单元。该基于倏逝场的光纤忆阻单元，包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化薄膜。其中，光学相变材料薄膜位于单模光纤侧面凹槽，在光学相变材料薄膜上方镀有防氧化薄膜。在该光纤忆阻单元中，纤芯中注入脉冲光通过倏逝场耦合至光纤相变材料薄膜上，实现其相态的调控，使得光纤忆阻单元的透射率发生变化，完成非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以作为一种光脉冲调控的光纤存储器件，其存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等，能良好的与当前光纤系统兼容，具备极大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 倏逝场 光纤 单元 | ||
【主权项】：
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