[发明专利]铌酸锂晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 202111022496.9 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113913937B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 薛冬峰;陈昆峰;王晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;C30B28/02 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 曹柳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请属于光电材料技术领域，尤其涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。其中，铌酸锂晶体的制备方法，包括步骤：计算铌酸锂晶体生长的温度场结构；计算铌酸锂晶体的生长参数；将锂源和铌源进行混合干燥处理，得到混合原料；在空气氛围中，对混合原料进行烧结处理，得到铌酸锂多晶料块；在计算的温度场结构中，将铌酸锂多晶料块融化后，在籽晶的引导下，依据计算的生长参数，采用提拉法进行晶体生长后，得到铌酸锂晶体。本申请铌酸锂晶体的制备方法，通过模拟、推演和计算方法分别计算铌酸锂晶体的温度场结构和生长参数，然后在计算的温度场结构中，依据计算的晶体生长参数，采用提拉法进行晶体生长，显著提高铌酸锂晶体的生长效率。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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