[发明专利]一种晶体生长室及利用其制备碳化硅的方法有效
| 申请号： | 202111023770.4 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113774486B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 袁振洲;刘欣宇 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 潘云峰;王佳妹 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州市中国(江苏)自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体生长室及利用其制备碳化硅的方法，涉及晶体生长领域，其中晶体生长室包括：腔体、坩埚、保温毡和加热源，坩埚设置于腔体内部，且坩埚的顶壁上贯通开设有通道，保温毡置于坩埚外侧，且保温毡上开设有测厚孔，保温毡设置于腔体内，测厚孔与通道连通，加热源设置于腔体外侧和内侧；其中制备碳化硅的方法包括采用上述的晶体生长室进行生长，并在生长过程中根据测厚孔周围未结晶区域的实时直径或者实时面积变化，分析得出坩埚内部晶体的生长速率，并据此进行长晶温度和压力的实时调整，这样可以很好的解决晶体生长过程中产生的无效结晶生长或者无法满足客户需求的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 利用 制备 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
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