[发明专利]喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法在审
| 申请号： | 202111024997.0 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114171428A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 新村聪;川上浩平;稻田博一;高柳康治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法。喷嘴在喷嘴收容部待机并在顶端部吸入溶剂而形成液层时，即使喷出的处理液高粘度也能在顶端部形成溶剂的液层。包括：喷嘴收容部，包含以包围喷嘴顶端部的方式形成的内周面并与喷嘴的喷出口相对地形成排出口；溶剂喷出口，在喷嘴收容部内开口，使喷出的溶剂沿喷嘴收容部的内周面引导而自排出口排出，喷嘴收容部在排出口的上方侧在溶剂呈涡流下落的部位具有缩径部，缩径部包括相对于喷嘴收容部的中心线的角度不同的第1内周面和第2内周面，在以包含喷嘴收容部的中心线的方式沿其剖切的剖面中，沿相对的各第1内周面延伸的两直线交点位于比当喷嘴的顶端部配置于缩径部时的喷嘴的喷出口靠上方。 | ||
| 搜索关键词： | 喷嘴 待机 装置 处理 以及 运转 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111024997.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双模成型的LED制品及封装方法
- 下一篇：车身前部构造
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
