[发明专利]一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关及晶元级封装方法在审
| 申请号： | 202111025393.8 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113594645A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 马清杰;王竞轩 | 申请（专利权）人： | 南京鹳巢传感技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/12 | 分类号： | H01P1/12;H01P1/15;H01P11/00;B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 田凌涛 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市麒麟科技创*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关，以衬底（1）为基础，应用信号输入端（3）与总信号线（2）之间的电连接，实现信号的输入，再由分别对接于总信号线（2）的各个RF MEMS开关，基于锚点（6），配合驱动电极（9）上电荷积累带动相应悬臂梁（7）的移动，实现各RF MEMS开关所对应分支支路控制信号的输出，实现了单刀多掷控制；整个设计结构具有极低的插入损耗，以及极高的隔离度，并且基于TGV技术，免于打线，封装更简单，尺寸更小，良率更高；相应对此开关还设计了晶元级封装方法，与衬底TGV通孔技术配合使用，获得更高可靠性，并且工艺简单，成本低廉，适用于各种衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tgv 技术 单刀 rf mems 开关 晶元级 封装 方法 | ||
【主权项】：
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