[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111025420.1 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113745379A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;郭丽彬;齐胜利 | 申请（专利权）人： | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 魏玉娇 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭州湾*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种应用于深紫外发光二极管的外延结构及制备方法，具体步骤如下：提供一平片衬底；生长AlN缓冲层；对AlN缓冲层进行等离子体预处理；生长AlN低温层；生长AlN高温层；生长n型AlGaN层；生长Al |
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| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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