[发明专利]一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件有效
申请号: | 202111026423.7 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN113838847B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 刘志伟;陈乐;李庆飒;耿林;杜飞波;侯飞;韩傲然;张钰鑫 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge,简称ESD)保护电路设计领域,尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier,简称DCSCR),具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件,该器件为二端器件,可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护,对正反向的ESD事件,该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护,且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点;同时,在优化连接方式后拥有更小的导通电阻,实现器件性能进一步优化;此外,在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时,能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络,显著减小版图面积;尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 低压 esd 防护 双向 dcscr 器件 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的