[发明专利]供气系统及离子源的供气方法有效
| 申请号： | 202111029351.1 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113701050B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 於鹏飞;李飞逸;汪东 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/00;G01F1/00;G01D21/02;F17C7/02;F17C13/00;F17C13/02;F17C13/04;F17D1/02;F17D3/01 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种供气系统及离子源的供气方法，包括反应腔、第一加热装置、流量控制器和气体管路；所述反应腔用于放置固体源；所述气体管路的一端连接所述反应腔，另一端用于连接所述离子源；所述第一加热装置设置于所述反应腔上，并用于加热所述固体源至预设温度，以使所述固体源气化，所述固体源气化后的气体由所述反应腔流出并通过所述气体管路进入所述离子源。该供气系统可使固体源加热气化并为离子源提供稳定的气流，从而保证晶圆表面离子注入的均匀性，提高晶圆离子注入的产能，同时延长离子源的保养周期。 | ||
| 搜索关键词： | 供气 系统 离子源 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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