[发明专利]利用高压空气的装置在审
| 申请号： | 202111030425.3 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN114156199A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 笠井刚史;上原健;高桥聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供利用高压空气的装置。该装置对所提供的高压空气进行监视，通知在该高压空气中混入有油。该装置在内部利用高压空气，其中，该装置具有：主体；空气配管，从高压空气提供源向该空气配管提供高压空气，该空气配管将该高压空气提供至该主体的内部；过滤器，其将在该空气配管内通过的该高压空气中所包含的油去除；气体检测器，其对通过该过滤器后的该高压空气中所包含的有机气体进行检测；以及通知单元，其在该气体检测器检测到该高压空气中所包含的有机气体时，通知在该高压空气中混入有该油。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 高压 空气 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
