[发明专利]集成TMBS结构的超结MOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111032029.4 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113782608A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王加坤;肖红秀 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘逸潇 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成TMBS结构的超结MOS器件及其制造方法，其中超结MOS器件包括超结MOS器件本体，超结MOS器件本体中部分元胞之间并联集成有TMBS结构。本发明实施例提供的集成TMBS结构的超结MOS器件制造方法，通过在超结MOS器件本体中部分元胞之间并联集成TMBS结构，来极大的改善超结MOS器件的反向恢复特性，解决由于较高的反向恢复峰值电流等导致的超结MOS器件容易损坏，进而降低使用安全性的问题，提高了超结MOS器件在使用过程中的安全性。其在不增加工艺步骤的基础上，在超结MOS器件本体中的两个或多个元胞之间集成TMBS结构，工艺简单且降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 tmbs 结构 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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