[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202111034422.7 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113809001A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王永平;熊少游;张育龙;蔡志勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨瑞 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，该形成方法包括提供衬底，衬底上形成有介质层；在介质层中形成开口，在开口内形成具有混合取向的铜籽晶层，并利用混合取向的铜籽晶层形成具有择优取向的铜籽晶层；在择优取向的铜籽晶层上形成填充开口的铜孪晶层，以在开口中形成铜互连结构。本发明在通过在开口内利用混合取向的铜籽晶层预先形成具有择优取向的铜籽晶层，之后再在具有择优取向的铜籽层形成铜孪晶层，从而达到定向填充的目的，避免了互连结构中空洞及过渡层大量的形成，并且由于铜孪晶层自身具有的良好机械性能和导电性，互连结构的可靠性也得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
