[发明专利]一种激光解键合的检测控制系统有效
申请号: | 202111035717.6 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN113838777B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 张紫辰;李纪东;侯煜;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯 | 申请(专利权)人: | 北京中科镭特电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种激光解键合的检测控制系统,该检测控制系统通过在激光解键合过程中,使吸盘吸附在衬底表面,激光束依次透过吸盘及衬底后聚焦在键合层,并控制激光束的焦点在键合层扫描部分的单元区域之后,通过抬升组件向上拉吸盘,使衬底和晶圆在该单元区域的位置处分离,以采用边激光解键合,边拉吸盘进行分离的剥离方式,防止衬底与晶圆之间由于熔融状态的键合材料再次冷却凝固而再次粘连,从而降低剥离难度。且还通过设置半反半透镜、检测光源、分光棱镜、光斑检测组件和上位机,以便于实时观察激光光斑位置信息、局部区域的键合层被加热情况信息,便于上位机控制振镜系统调节激光束的扫描轨迹及扫描时间,提高激光解键合效率及效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 解键合 检测 控制系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造