[发明专利]解键合的激光发生器位置确定方法在审
| 申请号： | 202111036026.8 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113851413A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张彪;李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;易飞跃;杨顺凯 | 申请（专利权）人： | 北京中科镭特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种解键合的激光发生器位置确定方法，应用于叠层结构的解键合过程，其中，叠层结构是由晶圆和基板键合形成的，所述方法包括：对所述叠层结构的第一区域进行激光照射并对所述第一区域的晶圆和基板施力进行分离；在第一区域分离后，获取第二区域发生形变后的位置；依据与所述第二区域对应的原始目标爆点位置、第二区域的原始位置以及激光发生器的原始目标位置，确定原始光路；依据所述补偿前光路入射基板前的部分以及第二区域发生形变后的位置，确定待补偿光路和待补偿爆点位置；依据所述待补偿光路入射基板后的部分以及第二区域发生形变后的目标爆点位置，确定激光发生器的目标位置。本发明能够对基板的形变位置导致的爆点位移进行预先的补偿，以确保爆点位置的准确。 | ||
| 搜索关键词： | 解键合 激光 发生器 位置 确定 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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