[发明专利]线偏振窄线宽外腔型半导体激光器有效
| 申请号： | 202111040488.7 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113659429B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈超;罗曦晨;宁永强;张星;秦莉;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/068 | 分类号： | H01S5/068;H01S5/14 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种线偏振窄线宽外腔型半导体激光器，包括增益芯片和外腔选频器件，外腔选频器件的基本结构为硅基波导布拉格光栅，基于硅基波导布拉格光栅的双折射效应，使得外腔选频器件反射的TE模式和TM模式分裂，当TE模式和TM模式反射回增益芯片并注入到增益芯片的ASE谱上时，TE模式与TM模式之间形成增益差，并且TM模式和TM模式的增益受到抑制，使线偏振窄线宽外腔型半导体激光器以线偏振模式输出。本发明无需偏振控制器就可以输出线偏振的激光，从而简化外腔半导体激光器的结构并降低外腔半导体激光器中各元器件之间的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 窄线宽外腔型 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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