[发明专利]一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法在审
申请号: | 202111040770.5 | 申请日: | 2021-09-07 |
公开(公告)号: | CN113608405A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 李由根;李娜;萧训山;刘丹;吴婷 | 申请(专利权)人: | 东莞市宏诚光学制品有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/62;G03F1/68;C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙) 44429 | 代理人: | 齐海迪 |
地址: | 523383 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版,该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版从上至下依次包括铬氮氧化物低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物防凹陷膜层以及玻璃基片。该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法主要为提供一个Cr靶材,通过通入气体以形成所需的膜层,经过实际检测可得出:使得该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版具有高精度的光学物性,且该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的靶向及行车方向均达到高均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 精密 微米 封装 级光掩膜基版 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备