[发明专利]三维AND快闪存储器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111046593.1 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115734606A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 洪敏峰;梁立言;黄珈择 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/23;H10B43/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种三维AND快闪存储器(3D AND Flash)元件，包括：栅极堆叠结构，设置于介电基底上，且包括多层栅极层与多层绝缘层彼此交互堆叠；通道柱贯穿所述栅极堆叠结构；第一导体柱以及第二导体柱设置于所述通道柱内并贯穿所述栅极堆叠结构，其中所述第一导体柱与所述第二导体柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接；电荷存储结构设置于所述多个栅极层与所述通道柱的侧壁之间；以及保护盖至少覆盖在所述通道柱的顶面上，隔离所述第一导体柱与所述多个栅极层的顶栅极层，且隔离所述第二导体柱与所述多个栅极层的所述顶栅极层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 and 闪存 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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