[发明专利]高压MOS管及其制造方法在审
| 申请号： | 202111049362.6 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113948441A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 谢磊;何志斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高压MOS管的制造方法，包括：提供一衬底，其中形成有浅沟道隔离结构，并且其表面还形成有衬垫氧化层；形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层、所述衬垫氧化层、所述浅沟道隔离结构和所述衬底以在所述浅沟道隔离结构和所述衬底中得到台阶式沟槽以及在所述台阶式沟槽中形成栅氧化层。本申请通过同时刻蚀高压器件区域的衬底和浅沟道隔离结构形成台阶式沟槽，使得在台阶式沟槽中沉积的栅氧化层的顶表面与其周围其他器件(中压、低压器件)区域的栅氧化层的顶表面趋于齐平，进而改善后续栅氧化层上方形成的伪多晶硅栅的高度均匀性，避免了在后续ILD0CMP工艺中高压器件区域的伪多晶硅栅被过分误研磨的情况，从而保证了金属栅极的完整。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111049362.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全电子板卡配置数据授权的管理方法、设备及介质
- 下一篇：一种电动汽车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
