[发明专利]一种压电结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111051173.2 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113764570A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 田一;聂京凯;崔建业;耿进锋;史昌明;龚文;何强 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网河南省电力公司电力科学研究院;国网浙江省电力有限公司金华供电公司;国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院;浙江清华长三角研究院 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/113;H01L41/31;H01L41/314;H02N2/00;H02N2/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压电结构及其制备方法，压电结构包括：压电膜层；位于压电膜层一侧表面的种子层；位于种子层背离压电膜层的一侧表面的纳米线阵列层，纳米线阵列层的材料为半导体压电材料。当在外界作用下发生形变时，压电膜层和纳米线阵列层产生压电效应，压电膜层相对设置的两个表面和纳米线阵列层相对设置的两个表面均产生相反的电荷，使位于两者之间的种子层受到电场作用，在上述电场的作用下，种子层实现了压电膜层和纳米线阵列层的串联，压电结构所产生的电能为压电膜层和纳米线阵列层所产生的电能的加和，有效提高了压电材料的压电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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