[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法在审
| 申请号： | 202111051684.4 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113690171A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;容沃铖;罗冰清;李嘉怡;蒋府龙;刘亚莹 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法，包括：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成LED芯片阵列；在LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除蓝宝石衬底；拉伸蓝膜以使LED芯片阵列中的芯片间距达到预设距离；通过超分辨率PDMS印章吸附LED芯片阵列的第二表面并去除蓝膜，其中，超分辨率PDMS印章吸附LED芯片阵列的区域包括由多个孔洞组成的孔洞阵列，孔洞的尺寸小于LED芯片阵列的芯片尺寸，孔洞阵列的孔洞密度大于LED芯片阵列的芯片密度；移动超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离超分辨率PDMS印章，以使LED芯片阵列转移至驱动基板。本发明实施例在印章吸附LED芯片时无需对准，即简化了操作，又加快了转移速度，进而提高转移效率和精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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