[发明专利]用于增强可靠性的JBS碳化硅二级管器件结构及制造方法在审
| 申请号： | 202111052349.6 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113658922A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于增强可靠性的JBS碳化硅二级管器件结构及制造方法，包括碳化硅衬底、多层外延层、正面电极、势垒层、N型硅原子层、P型扩散区、P型分压环、N型截止环、复合终端钝化层、欧姆接触层以及背面电极；形成具有隔离缓冲层的双层碳化硅外延层，减少了碳化硅衬底的缺陷，提高产品的良品率和可靠性；通过N型截止环，可以有效的截断漏电通道产生的漏电流，有助于减少器件边缘漏电量大的情况发生；通过N型硅原子层，使得N型硅原子层与金属形成硅基势垒合金层，避免了碳化硅合金层带来的高势垒，降低正向导通时的势垒高度，使得JBS碳化硅二极管的正向开启电压VF大幅度降低，降低了二极管的开通损耗，提高了系统可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 可靠性 jbs 碳化硅 二级 器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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