[发明专利]一种基于纳流体二极管的水伏器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111054145.6 申请日: 2021-09-09
公开(公告)号: CN113691162B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 杨婷婷;张勇;卢旭磊;何其昌 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H02N3/00 分类号: H02N3/00;B81B1/00;B81C1/00
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 610031 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于纳流体二极管的水伏器件,从下到上依次包括基底层、下电极和上电极,上电极与下电极之间设有敏感层;敏感层为两层具有相反ZETA电位的薄膜构成的PN结,或者为两层相反ZETA电位的薄膜中间再加一层ZETA电位近似为0的薄膜构成PIN结;敏感层各层均是连通的孔结构,其中至少有一层含有0.1‑100nm尺寸的纳米级连通孔。本发明通过将纳流体二极管引入水伏器件,使水伏器件的性能有很大提升,该器件无需额外能耗,绿色环保,且器件结构简单,制备方法中的制备工艺容易操作,所需材料容易获取并且价格低廉,适合大规模生产。
搜索关键词: 一种 基于 流体 二极管 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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