[发明专利]低纯铌-高纯铌混合制备超导腔及其制备方法在审
| 申请号： | 202111054272.6 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113677082A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐孟鑫;黄玉璐;张升学;何源;刘鲁北;蒋天才;王若旭;刘通;李春龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | H05H7/20 | 分类号： | H05H7/20;H05H7/18;B23P15/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 任文娟 |
| 地址： | 730013 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低纯铌‑高纯铌混合制备超导腔及其制备方法，该低纯铌‑高纯铌混合制备超导腔包括：超导腔的几何结构确定后，通过有限元分析得到所述超导腔内的高频电磁场分布，在运行的过程中，腔体发热最严重的区域在强磁场区，此区域采用高纯铌板材或棒材，而在其他区域采用低纯铌板材或棒材。本发明通过低纯铌和高纯铌来混合制备超导腔，根据超导腔的高频电磁场分布，在不同的位置上采用不同纯度的铌材来制备，从而降低整个工程的造价，还可以提高超导腔的机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 低纯铌 高纯 混合 制备 超导 及其 方法 | ||
【主权项】：
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