[发明专利]一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111055880.9 申请日: 2021-09-09
公开(公告)号: CN113684133A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 徐世弘;蔡新霞;罗金平;何恩慧;张奎;徐声伟;宋轶琳 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00;C12M1/42;B01L3/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 李晓莉
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片及其制备方法,涉及传感器技术与电刺激调控技术。该芯片系统由两层子芯片构成,二者均由MEMS工艺加工制备。第一层子芯片为用于神经元电生理调控检测的微电极阵列芯片,包括检测微电极阵列、刺激电极等元件;第二层子芯片为用于神经元定向培养的微流控芯片,包括细胞培养槽、微流道以及微沟道。该芯片以微沟道实现神经元之间定向互连,并通过刺激电极训练输入端神经元使其放电变化,从而实现微沟道输入端神经元对输出端神经元放电频率的控制,进而在神经元层面上构建一对一有一定逻辑功能的控制单元。本发明芯片功能集成化,具备定向培养神经元的功能和同时空调控检测的能力。
搜索关键词: 一种 集成 微流控 微电极 阵列 神经元 非门 逻辑 功能 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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