[发明专利]提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机有效
| 申请号： | 202111058165.0 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113858033B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春 | 申请（专利权）人： | 浙江富芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/08;B24B37/11;B24B37/34 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区秋*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机，该提升晶片研磨后平整度的方法包括以下步骤：(1)对晶片表面损伤进行加深处理，形成损伤层；(2)对损伤加深处理后的所述晶片进行退火处理；(3)对退火处理后的所述晶片进行双面研磨，以去除所述损伤层；(4)对双面研磨后的所述晶片进行减薄处理。本发明中的方法能够提升晶片平整度，改善因切割能力不足导致的晶片不平整，同时提升抛光后晶片面型的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 晶片 研磨 平整 方法 研磨机 | ||
【主权项】：
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