[发明专利]一种等离激元增强的碲镉汞微腔红外探测器及制备方法在审
申请号: | 202111062698.6 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113782621A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 朱利;肖佳慧;李晨昱;吴建峰;吕俊鹏;崔一平 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18;H01L31/0236;B82Y15/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 吴旭 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离激元增强的碲镉汞微腔红外探测器及制备方法,器件自下而上依次包括衬底、绝缘胶、金属反射层、钝化层、碲镉汞薄膜、微纳结构以及电极;其中碲镉汞薄膜的厚度为亚微米级,可以减小工作时的暗电流,微纳结构、碲镉汞薄膜、钝化层和金属反射层形成等离激元微腔,极大提高碲镉汞的红外光吸收能力,该结构兼备高吸收和低噪声的特点,可以提高碲镉汞探测器的工作温度,解决了传统高性能碲镉汞红外探测器需要在液氮制冷等苛刻条件下工作的问题。相较于在外延厚衬底上制备碲镉汞薄膜,本发明的制备方法,实现了微纳结构‑碲镉汞薄膜‑金属反射层的超薄三明治结构的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 离激元 增强 碲镉汞微腔 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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