[发明专利]一种C/SiC复合涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 202111064306.X | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113718225A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吴建;王卓健;刘兴亮 | 申请（专利权）人： | 湖南倍晶新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/32;C23C16/02;C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 任洁芳 |
| 地址： | 418005 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C/SiC复合涂层，包括沉积于石英材料表面上的碳涂层，以及沉积于所述碳涂层表面的SiC涂层。该复合涂层的结构稳定，与石英表面之间的结合力强，且耐氢氟酸腐蚀性能优异，能够防止石英在高温热处理条件下与晶片发生粘结，同时能够防止石英中的杂质挥发对晶片造成污染，有效保障晶片的质量。除此之外，本发明还提供一种C/SiC复合涂层的制备方法，同样具有上述技术效果，且制备工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 复合 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
