[发明专利]一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111064414.7 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113948636A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张盼;王玮;郭业昌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器，包括：衬底；纳米沟道，设置在所述衬底顶部；金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极，可有效防止漏电流对其他器件的影响，且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外，本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件，既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能，又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外，本发明还涉及所述界面型纳流体忆阻器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅控型 界面 流体 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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