[发明专利]一种基于三元溶剂制备Dion-Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 202111065600.2 申请日: 2021-09-10
公开(公告)号: CN113937219A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 郭飞;陈乙郡;麦耀华 申请(专利权)人: 暨南大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48;H01L51/46
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 雷月华
地址: 510632 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于三元溶剂制备Dion‑Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法。本发明以N,N‑二甲基酰胺,二甲基亚砜和第三种具有高沸点、低饱和蒸气压的溶剂组成三元溶剂,将钙钛矿前驱体材料及添加剂加入该三元溶剂中,并经过液相沉积法制成湿膜,再经溶剂淬灭工艺预结晶;最后经退火处理后得到DJ型准二维钙钛矿薄膜。与单一溶剂体系或二元溶剂体系相比,三元溶剂体系有利于缓解钙钛矿薄膜的结晶速度,基于该体系制得的DJ型准二维钙钛矿薄膜,具有结晶度更高、晶体取向垂直于衬底以及梯度相分布的特点,使得钙钛矿薄膜具有较高的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 基于 三元 溶剂 制备 dion jacobson 二维 钙钛矿 薄膜 方法
【主权项】:
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