[发明专利]一种基于三元溶剂制备Dion-Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法在审
申请号: | 202111065600.2 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113937219A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 郭飞;陈乙郡;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 雷月华 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于三元溶剂制备Dion‑Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法。本发明以N,N‑二甲基酰胺,二甲基亚砜和第三种具有高沸点、低饱和蒸气压的溶剂组成三元溶剂,将钙钛矿前驱体材料及添加剂加入该三元溶剂中,并经过液相沉积法制成湿膜,再经溶剂淬灭工艺预结晶;最后经退火处理后得到DJ型准二维钙钛矿薄膜。与单一溶剂体系或二元溶剂体系相比,三元溶剂体系有利于缓解钙钛矿薄膜的结晶速度,基于该体系制得的DJ型准二维钙钛矿薄膜,具有结晶度更高、晶体取向垂直于衬底以及梯度相分布的特点,使得钙钛矿薄膜具有较高的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 三元 溶剂 制备 dion jacobson 二维 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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