[发明专利]掩膜版、光刻系统以及半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202111067882.X | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113900350A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张翩;谭锦丹;孙畅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐雯;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种掩膜版、光刻系统以及半导体器件的制作方法。所述掩膜版包括：器件图案，用于在曝光时显影至覆盖半导体结构的光刻胶中；标记图案，用于监测所述器件图案与设计版图之间的偏差，包括：第一子标记图案，用于在所述曝光时显影至覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中；其中，所述第一子标记图案与所述器件图案相同；和/或，第二子标记图案，用于在所述曝光时在覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中不成像。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 光刻 系统 以及 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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