[发明专利]基于温度测量的功率半导体开关损耗测量方法及系统有效
| 申请号： | 202111069558.1 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113759229B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 马柯;林家扬;朱晔 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01K13/00 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 徐红银 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于温度测量的功率半导体开关损耗测量方法及系统，所述方法包括控制所述被测功率半导体器件的开关状态，使流经所述被测功率半导体器件的电流为幅值及占空比固定的方波或锯齿波电流；当所述被测功率半导体器件达到热稳定状态后，测量所述被测功率半导体器件的电气状态、温度状态变化；根据所述被测功率半导体器件的热阻模型建立热阻矩阵方程，计算使被测功率半导体器件产生所述温度状态变化的总损耗；所述总损耗减去导通损耗，得到所述被测功率半导体器件的开关损耗。本发明的功率半导体器件开关损耗测量方法，显著降低了测量系统的带宽和精度要求，能够实现无人工干预的快速自动化测试，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 温度 测量 功率 半导体 开关 损耗 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111069558.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：关爱老人智能语音识别报警器
- 下一篇：一种高品质茶树的种植方法
