[发明专利]GaN高电子迁移率异质结结构及制备方法、二极管、晶体管在审
| 申请号： | 202111070444.9 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN114005866A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;李蔚然;樊雨佳;周瑾;叶刚;李祥东;刘先河;赵胜雷;段小玲;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L27/07 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 510000 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN高电子迁移率异质结结构及制备方法、二极管、晶体管，异质结结构包括：衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区、凹槽、重掺杂半导体接触区和欧姆接触电极，衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区依次层叠；凹槽贯穿复合势垒区且位于沟道层中；重掺杂半导体接触区填充在凹槽中，重掺杂半导体接触区的材料为n型重掺杂非三族氮化物材料；欧姆接触电极位于重掺杂半导体接触区上。该GaN高电子迁移率异质结结构中重掺杂半导体接触区选择与GaN的导带底能级相近的非三族氮化物半导体材料，有利于实现金属电极与GaN结构二维电子气之间较低的欧姆接触阻值，同时能够减少欧姆接触工艺步骤对晶圆的负面影响，提高器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 电子 迁移率 异质结 结构 制备 方法 二极管 晶体管 | ||
【主权项】：
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