[发明专利]包括场阻止区的功率半导体二极管在审
| 申请号： | 202111074092.4 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114188421A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔茨;C·耶格;M·杰里内克;D·施洛格;B·斯托伊布 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出功率半导体二极管，其包括具有沿垂直方向彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体本体。半导体二极管还包括第一导电类型的阳极区。功率半导体二极管还包括第二导电类型的漂移区。漂移区布置在阳极区与第二主表面之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的场阻止区。场阻止区布置在漂移区和第二主表面之间。场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布包括最大峰。功率半导体二极管还包括第一导电类型的注入区。注入区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结形成在注入区和场阻止区之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的阴极接触区。阴极接触区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结和最大峰之间的第一垂直距离的范围是从200nm至1500nm。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 阻止 功率 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
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